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MZ-VAP1T0BW

SKU: MZ-VAP1T0BW

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351,58 €

Samsung MZ-VAP1T0, 1 TB, M.2, 14700 MB/s

33 disponibles

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Descripción

Capacidad1000 GB
InterfazNVMe M.2
Factor de forma de disco SSD2280"
Velocidad Escritura13300 MB/s
Velocidad Lectura14700 MB/s
Características
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
SDD, capacidad1 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardwareSi
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (lectura)7,6 W
Consumo de energía (escritura)7,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura)7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,2 W
Consumo de energía (espera)0,004 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)3,3 mW
Peso y dimensiones
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura80,2 mm
Peso9 g
Empaquetado
Tipo de embalajeCaja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Otras características
Periodo de garantía5 año(s)

Datos técnicos facilitados por el fabricante a través de Icecat.

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